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IRF7468
Static @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
40
–––
––– V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.025
––– V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
–––
–––
11.7
13.0
18.0
15.5 V GS = 10V, I D = 9.4A
17.0 m ? V GS = 4.5V, I D = 7.5A
35.0 V GS = 4.5V, I D = 4.7A
?
?
?
V GS(th)
Gate Threshold Voltage 0.8
–––
2.0 V V DS = V GS , I D = 250μA
20 V DS = 32V, V GS = 0V
I DSS
Drain-to-Source Leakage Current
–––
–––
–––
–––
μA
100 V DS = 32V, V GS = 0V, T J = 125°C
I GSS
Gate-to-Source Forward Leakage –––
Gate-to-Source Reverse Leakage –––
–––
–––
200 V GS = 12V
nA
-200 V GS = -12V
Dynamic @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
––– I D = 8.0A
––– R G = 1.8 ?
g fs
Q g
Q gs
Q gd
Q oss
t d(on)
t r
t d(off)
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Output Gate Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
27
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
23
6.4
6.7
17
7.6
2.3
20
––– S V DS = 20V, I D = 8.0A
34 I D = 8.0A
9.6 nC V DS = 20V
10 V GS = 4.5V, ?
26 V GS = 0V, V DS = 16V
––– V DD = 20V
ns
t f
C iss
C oss
C rss
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
–––
3.8
2460
490
38
––– V GS = 4.5V
––– V GS = 0V
––– V DS = 20V
––– pF ? = 1.0MHz
?
Avalanche Characteristics
Symbol
E AS
I AR
Parameter
Single Pulse Avalanche Energy ?
Avalanche Current ?
Typ.
–––
–––
Max.
160
8.0
Units
mJ
A
Diode Characteristics
Symbol
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
integral reverse
I S
I SM
V SD
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
Diode Forward Voltage
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.81
0.65
2.3
74
1.3
–––
A
V
D
showing the
G
p-n junction diode. S
T J = 25°C, I S = 8.0A, V GS = 0V ?
T J = 125°C, I S = 8.0A, V GS = 0V ?
t rr
Q rr
t rr
Q rr
Reverse
Reverse
Reverse
Reverse
Recovery
Recovery
Recovery
Recovery
Time
Charge
Time
Charge
–––
–––
–––
–––
45
76
58
110
68
110
87
160
ns
nC
ns
nC
T J = 25°C, I F = 8.0A, V R =20V
di/dt = 100A/μs ?
T J = 125°C, I F = 8.0A, V R =20V
di/dt = 100A/μs ?
2
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